中国粉体网讯  鼎龙股份3月10日早间公告，湖北鼎龙控股股份有限公司（以下简称“公司”）近年一直围绕集成电路核心CMP全局平坦化工艺材料作为发展重点和延展方向，依靠公司在化学材料领域和工程化领域二十年的技术积累，公司控股子公司武汉鼎泽新材料技术有限公司的氧化铝抛光液产品在某家公司28nm节点HKMG工艺的Al CMP制程验证通过。

CMP（化学机械抛光）是提供超大规模集成电路(ULSI)制造过程中表面平坦化的一种新技术，于1965年首次由美国的Monsanto提出，最初是用于获取高质量的玻璃表面。CMP技术具有独特的化学和机械相结合的效应，是在机械抛光的基础上，根据所要抛光的表面，加入相应的抛光液，从而达到增强抛光和选择性抛光的效果。CMP技术是从原子水平上进行材料去除，从而获得超光滑和超低损伤表面，该技术广泛应用于光学元件、计算机硬盘、微机电系统、集成电路等领域。

（CMP工作原理图）

抛光液是CMP技术中的决定性因素之一，其性能直接影响被加工工件表面的质量以及抛光加工的效率。单一磨粒抛光液是指在抛光液中只含有二氧化硅（SiO₂）、氧化铝（Al₂O₃）、氧化铈（CeO₂）、氧化锆（ZrO₂）、纳米金刚石等众多常用磨粒之一。其中SiO₂、Al2O₃、CeO₂是应用最广泛的。由于单一磨粒各方面性能的局限性，使用单一磨粒抛光液出现了很多难以解决的瓶颈问题。因此，很多研究人员转而研究混合磨粒抛光液和复合磨粒抛光液，致力于解决化学机械抛光过程中加工效率和加工质量的平衡问题。

鼎龙股份的抛光液产品即是使用氧化铝研磨粒子和高分子聚合物混合的方式，技术难度高。公司已突破技术难关，实现三种关键材料的自主制备。该款搭载公司自制研磨粒子的抛光液产品，其各项参数均达到客户应用要求，通过客户端全方面工艺参数验证，并已进入吨级采购阶段。

参考来源：上海证券报、中国粉体网

（中国粉体网编辑整理/山川）

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